高密度电路板|

SHV里德Relais酒店schaltet双1K VDC / Durchbruchspannung 4K VDC MIT einem Hochspannungsisolationswiderstand冯> 5×10 ^ 12Ω。GegenüberherkömmlichenHochspannungsrelais wird德Platzbedarf AUF DER Leiterplatte嗯EIN Vielfaches reduziert。达斯SHV里德Relais酒店IST NOCH克莱纳UND kompakter ALS盛Vorgänger，DASSIL-HV里德Relais酒店。

UL - 合格证书

CRR里德Relais酒店楚SMD-MIT蒙太奇hohem Isolationswiderstand·冯·10 ^ 14Ω在einem sehr flachenKeramikgehäuse。迷你型Relais酒店麻省理工学院denselben thermischen Ausdehnungskoeffizienten魏某德励Schalter，wodurch jeder mechanische应力第三人以Temperatureinflüssevermieden wird。达斯世界各地kleinste Relais酒店，geliefert在磁带和卷轴Ausführung，麻省理工学院奥德指数ohne BGA（球栅阵列）。

合规UL认证

UMS里德Relais酒店麻省理工学院Schaltleistung二祖10W贝einer最大。Schaltspannung冯170V UND einem Schaltstrom冯最大。1A。Ultraminiatur单直插Relais酒店MIT约50％kleineren Abmessungen IM Vergleich祖尔标准MS-意甲。AEC-Q200 zertifiziert，speziell献给Applikationen MIT geringerem Platzbedarf。

合规UL认证

CRF里德Relais酒店楚SMD-蒙太奇sehr flachemKeramikgehäuse，麻省理工学院einem hohem Isolationswiderstand·冯·10 ^ 14Ω。迷你型Relais酒店麻省理工学院denselben thermischen Ausdehnungskoeffizienten魏某EIN里德Schalter，wodurch jeder mechanische应力第三人以Temperatureinflüssevermieden wird。磁带和卷轴Ausführung，麻省理工学院奥德指数ohne BGA（球栅阵列）。

合规UL认证

CRR里德Relais酒店楚SMD-MIT蒙太奇hohem Isolationswiderstand·冯·10 ^ 14Ω在einem sehr flachenKeramikgehäuse。迷你型Relais酒店麻省理工学院denselben thermischen Ausdehnungskoeffizienten魏某德励Schalter，wodurch jeder mechanische应力第三人以Temperatureinflüssevermieden wird。达斯世界各地kleinste Relais酒店，geliefert在磁带和卷轴Ausführung，麻省理工学院奥德指数ohne BGA（球栅阵列）。

合规UL认证

CRF里德Relais酒店楚SMD-蒙太奇sehr flachemKeramikgehäuse，麻省理工学院einem hohem Isolationswiderstand·冯·10 ^ 14Ω。迷你型Relais酒店麻省理工学院denselben thermischen Ausdehnungskoeffizienten魏某EIN里德Schalter，wodurch jeder mechanische应力第三人以Temperatureinflüssevermieden wird。磁带和卷轴Ausführung，麻省理工学院奥德指数ohne BGA（球栅阵列）。

合规UL认证

SHV里德Relais酒店schaltet双1K VDC / Durchbruchspannung 4K VDC MIT einem Hochspannungsisolationswiderstand冯> 5×10 ^ 12Ω。GegenüberherkömmlichenHochspannungsrelais wird德Platzbedarf AUF DER Leiterplatte嗯EIN Vielfaches reduziert。达斯SHV里德Relais酒店IST NOCH克莱纳UND kompakter ALS盛Vorgänger，DASSIL-HV里德Relais酒店。

UL - 合格证书

UMS里德Relais酒店麻省理工学院Schaltleistung二祖10W贝einer最大。Schaltspannung冯170V UND einem Schaltstrom冯最大。1A。Ultraminiatur单直插Relais酒店MIT约50％kleineren Abmessungen IM Vergleich祖尔标准MS-意甲。AEC-Q200 zertifiziert，speziell献给Applikationen MIT geringerem Platzbedarf。

合规UL认证

MS里德Relais酒店奥赫ALSHochfrequenzausführungMIT 1GHz的verfügbar。的Mikro-SIL驿站reduziert书房Platzbedarf IM Vergleich楚标准-SIL意甲庵50％。麻省理工学院interner二极管。

合规UL认证

SIL里德Relais酒店麻省理工学院国际üblicherPinbelegung。Reduzierter Platzbedarf verglichen MIT DIP Relais酒店嗯50％。SIL里德Relais酒店奥赫ALS HF版本verfügbar，U.A.献给死MessgeräteprüfungMIT Schaltsignalen（DC）之二1,5千兆赫。可选erhältlich麻省理工学院einer Isolationsspannung冯4kVDC，二极管UND magnetischer Abschirmung。

合规UL认证

RM05-8A-SP里德Relais酒店麻省理工学院einer 25％kleinerenOberflächeALS DAS Relaismodul RM05-8A。第三人以书房Einsatz einer neuen Treibergeneration IST ES Stan亚搏官方app下载dex电子gelungen模具Bauform奥夫EIN最低祖reduzieren。Dieses莫代尔verfügt尤伯杯艾因standardisiertes Pinnlayout（2毫米光栅）。可选IST DAS Relais酒店奥赫MIT einer parallelen Ansteuerelektronikverfügbar。

SIL HF里德Relais酒店reduzieren书房Platzbedarf奥夫Leiterplatten庵50％verglichen MIT DIP Relais酒店。SIE haben EINE国际üblichePinbelegung UND信德damit kompatibel祖快艾伦anderen Herstellern。Hochfrequenz单直插Relais酒店，schaltet二祖1,5GHz。

合规UL认证